Лабораторная работа: Исследование биполярного транзистора

Лабораторная работа: Исследование биполярного транзистора

Лабораторная работа 1

Тема: "Исследование биполярного транзистора"

Цель: Получение входных и выходных характеристик транзистора.

Приборы и элементы: Биполярный транзистор 2N3904, источник постоянной ЭДС, источник переменной ЭДС, амперметры, вольтметры, осциллограф, резисторы.

Ход работы:

1. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) В схеме (рис. 1) провели измерения тока коллектора IК для каждого значения ЕК и ЕБ и заполнили таблицу 1 в разделе «Результаты экспериментов». По данным таблицы построили график зависимости IК от Ек.

б) Построили схему, изображенную на рис. 2. Включили схему. Зарисовали осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов». Повторили измерения для каждого значения ЕБ из таблицы 1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовали в разделе «Результаты экспериментов» на одном графике.

Рисунок 1. – Схема биполярного транзистора с ОЭ

в) По выходной характеристике нашли коэффициент передачи тока рас при изменении базового тока с 10 µА до 30 µА, Ек = 10 В. – Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».

Таблица 1. – Результаты экспериментов

Рисунок 2. – График зависимости тока от напряжения

2. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) На схеме (рис. 1) установили значение напряжения источника Ек равным 10 В и провели измерения тока базы iБ, напряжения база-эмиттер U6э, тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Eg в соответствии с таблицей 10.2 в разделе «Результаты экспериментов». Обратили внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

б) В разделе «Результаты экспериментов» по данным таблицы 2 построили график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

в) Построили схему, изображенную на рис 3. Включили схему. Зарисовали входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе «Результаты экспериментов»

Рисунок 3. – Схема биполярного транзистора с ОЭ.

г) По входной характеристике нашли сопротивление rВХ при изменении базового тока с 10 µA до 30 µА Результат записали в раздел «Результаты экспериментов».

Рисунок 4. – Показания осциллографа

Таблица 2. – Результаты экспериментов

Рисунок 5. – График зависимости тока от напряжения

Рисунок 6. – Схема биполярного транзистора с ОЭ

Рисунок 7. – Показания осциллографа